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SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠 导入晶圆键合技术SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认，其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计

  1. SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠 导入晶圆键合技术

    SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认，其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计。这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。SK 海力士宣称 V10 NAND 实现了上代产品 2.5 倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的 AI 基础设施环境而优化。

    格隆汇

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