长鑫存储 LPDDR6 研发验证近尾声，速率达 12800 Mbps产业链消息显示，长鑫存储首款 LPDDR6 产品研发验证已接近尾声，设计速率达 12800 Mbps（基础速率 10667 Mbps），颗粒容量 16 Gb、芯片容量 16 GB，采用 1295 Ball POP 封装

1. 4 hours ago

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   长鑫存储发布 DDR5 内存新品，最高速率达 8000Mbps 在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储首次全面展示 DDR5 和 LPDDR5X 两大产品线最新产品。DDR5 系列产品最高速率达 8000Mbps，相较市场主流的 6400Mbps 产品速率提升 25%，已迈入国际顶级性能梯队。同时推出最高 24Gb 大容量颗粒，可满足数据中心快速扩容需求。LPDDR5X 产品针对移动市场，最高速率 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，涵盖 12GB 至 32GB 等多种容量封装解决方案。…

   

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   长鑫存储 LPDDR6 研发验证近尾声，速率达 12800 Mbps
   
   产业链消息显示，长鑫存储首款 LPDDR6 产品研发验证已接近尾声，设计速率达 12800 Mbps（基础速率 10667 Mbps），颗粒容量 16 Gb、芯片容量 16 GB，采用 1295 Ball POP 封装。长鑫早在今年 3 月已将样品送至核心客户，有望于 2026 年下半年实现全球首发量产导入。
   
   相较于上一代 LPDDR5X，新品在低功耗设计与 RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能上均有明显优化。这标志着国内存储产业从高端存储技术跟随者转变为前沿规格领跑者，将为国产旗舰手机、端侧 AI 硬件提供自主可控的高速内存核心器件。
   
   新浪财经
   
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