高通下一代旗舰芯片或采用三星 HPB 散热技术
据供应链及社交媒体消息，高通拟在下一代 Snapdragon 8 Elite Gen 6 系列芯片中引入三星的 HPB（Heat Pass Block）散热技术。该技术通过将 DRAM 模组由芯片上方移至侧面，并在芯片上直接构建铜质散热层，据称可降低 16% 的热阻，旨在解决高性能芯片的散热瓶颈。
爆料显示 Gen 6 性能核频率或达 5 GHz，即便采用台积电 2nm 工艺，传统散热手段也已接近极限。目前高通尚未官方证实此项架构调整。
TechSpot
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