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三星电子披露首次量产的 2 纳米工艺细节三星电子在财报中公布其首批 2 纳米 1 代 GAA 工艺指标，相较 3 纳米 2 代工艺，性能提升约 5%，功耗降低约 8%，芯片面积缩小约 5%

  1. 三星电子披露首次量产的 2 纳米工艺细节

    三星电子在财报中公布其首批 2 纳米 1 代 GAA 工艺指标，相较 3 纳米 2 代工艺，性能提升约 5%，功耗降低约 8%，芯片面积缩小约 5%。该工艺的芯片良率已提升至 50% 至 60%，远高于此前约 30% 的预期。报道提及全球晶圆代工市场仍由台积电占据约 70% 份额，三星约为 7.3%，2 纳米将成为下一阶段竞争焦点。

    此外，三星预计在下一代旗舰机 Galaxy S26 上搭载自研 Exynos 2600，并有望率先采用 2 纳米工艺量产。业内认为三星在 GAA 技术和定价策略方面可能争取更多客户。

    데일리안

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