据报道，中国 NAND 制造商长江存储 (YMTC) 计划与中国最大的 DRAM 制造商长鑫存储 (CXMT) 合作，进入 DRAM 领域并共同开发 HBM (高带宽内存) 技术。该合作旨在推动 HBM3 及更先进的下一代 DRAM 技术的研发。
报道称，长江存储正准备订购 DRAM 研发设备，并希望借助长鑫存储在混合键合 (hybrid bonding) 等技术上的专长，加速其在 DRAM 和 HBM 解决方案上的开发进程。目前，长鑫存储已量产 HBM2，并正快速向 HBM3 推进。此举被视为中国在关键半导体领域寻求技术自给自足的一部分，可能会对三星等韩国市场领导者构成挑战。
Wccftech
🍀在花频道 🍵茶馆 📮投稿
👍 376 😁 14 ❤️ 11 🦄 6 👎 2 🫡 2 👏 1
