台积电2nm工艺涨价，每片晶圆价格超3万美元
台积电在2nm制程节点上取得重大突破，引入Gate-all-around FETs（GAAFET）和NanoFlex技术，提升了芯片设计的灵活性和效率。相比于N3E工艺，N2工艺在相同功率下性能提升10%至15%，在相同频率下功耗降低25%至30%，并且晶体管密度增加15%。随着技术升级，2nm晶圆价格预计超过3万美元，高于3nm的1.85万至2万美元和4/5nm的1.5到1.6万美元。
为应对2nm工艺的高需求，台积电正在台湾的北、中、南部建设晶圆厂，增加产能。2nm工艺引入更多EUV光刻步骤，可能采用双重曝光技术，进一步提高生产成本。预计N2工艺将在2025年下半年量产，2026年为客户提供首批芯片，苹果可能是首个采用该技术的客户。
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为应对2nm工艺的高需求，台积电正在台湾的北、中、南部建设晶圆厂，增加产能。2nm工艺引入更多EUV光刻步骤，可能采用双重曝光技术，进一步提高生产成本。预计N2工艺将在2025年下半年量产，2026年为客户提供首批芯片，苹果可能是首个采用该技术的客户。
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