涉对华泄露芯片技术三星前高管被批捕
曾担任三星电子和海力士半导体高管的66岁崔珍奭和前三星电子首席研究员60岁吴某涉嫌违反商业秘密保护法等，泄露三星电子自主开发的700多个20纳米技术工艺流程图用于崔珍奭2021年投资的成都高真科技公司进行产品研发。
首尔中央地方法院专门负责拘留令的部长法官金美京针对涉嫌违反《关于防止不正当竞争与保护商业秘密的法律》的崔某和前三星电子首席研究员吴某举行了拘留前的嫌疑人审问（拘留令实质审查），判定“有潜逃的可能”并签发了拘留令。
警方计划具体调查泄密过程、以及是否获取经济利益等。
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曾担任三星电子和海力士半导体高管的66岁崔珍奭和前三星电子首席研究员60岁吴某涉嫌违反商业秘密保护法等，泄露三星电子自主开发的700多个20纳米技术工艺流程图用于崔珍奭2021年投资的成都高真科技公司进行产品研发。
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