英特尔完成世界首台商用High NA EUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术
英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X研发晶圆厂完成了世界首台商用High NA（0.55NA）EUV光刻机的组装。这台型号为TWINSCAN EXE:5000的光刻机是ASML的首代产品，价值约3.5亿美元。目前，该光刻机已进入光学系统校准阶段。
High-NA EUV光刻机相较于现有的0.33NA EUV光刻机，在一维密度上拥有1.7倍的提升，意味着在二维尺度上可以实现190%的密度提升。这将允许在更精细的尺度上制造半导体，从而继续推动摩尔定律的发展。英特尔计划从2025年的18A新技术验证节点开始，在其先进芯片的开发和制造中同时使用0.55NA和0.33NA的EUV光刻机。
IT之家
线索：@ZaiHuabot
投稿：@TNSubmbot
频道：@TestFlightCN
英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X研发晶圆厂完成了世界首台商用High NA（0.55NA）EUV光刻机的组装。这台型号为TWINSCAN EXE:5000的光刻机是ASML的首代产品，价值约3.5亿美元。目前，该光刻机已进入光学系统校准阶段。
High-NA EUV光刻机相较于现有的0.33NA EUV光刻机，在一维密度上拥有1.7倍的提升，意味着在二维尺度上可以实现190%的密度提升。这将允许在更精细的尺度上制造半导体，从而继续推动摩尔定律的发展。英特尔计划从2025年的18A新技术验证节点开始，在其先进芯片的开发和制造中同时使用0.55NA和0.33NA的EUV光刻机。
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